Новый подход может помочь сделать будущие чипы искусственного интеллекта меньше по размеру и более энергоэффективными. Исследовательская группа под руководством KAIST использовала один материал для устранения одного из основных препятствий, с которыми сталкиваются полупроводники с атомарно-тонкой структурой: сложности эффективного ввода заряда. Эта технология может способствовать созданию искусственного интеллекта следующего поколения и маломощных полупроводниковых устройств, в которых несколько ультратонких слоев вертикально интегрированы для повышения плотности и производительности устройства.
Новости от techxplore
